专利名称：半导体芯片及形成芯片焊盘的方法专利类型：发明专利
发明人：M·科伊茨,S·克拉姆普申请号：CN201510617597.9申请日：20150728公开号：CN105355570A公开日：20160224
摘要：本发明涉及半导体芯片及形成芯片焊盘的方法。公开了一种具有不同芯片焊盘的半导体芯片以及形成具有不同芯片焊盘的半导体芯片的方法。在一些实施例中，该方法包括在芯片正面上方沉积阻挡层，在沉积阻挡层之后沉积铜层，以及去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中在第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层。该方法还包括去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。
申请人：英飞凌科技股份有限公司
地址：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
国籍：DE
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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