专利名称：一种阵列纳米管及其制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：刘云圻,王贤保,朱道本申请号：CN01124300.7申请日：20010828公开号：CN1401560A公开日：20030312
摘要：本发明公开了一种阵列纳米管，由直径为20到200纳米，长度为1到100微米，含氮量为0.5％到9％的结构均匀、阵列规整的氮化碳纳米管阵列组成，进一步的说，其起始发射电场为每微米1.5到5伏，在每微米2.6到7伏的电场下的电流密度为每平方厘米80到300微安。本发明还公开了一种简单的制备方法，无需任何复杂的预处理过程，可直接在衬底(基板)上大面积生长出本发明的氮化碳纳米管材料。本发明可用在场发射器件上，是一种理想的平板显示器材料。
申请人：中国科学院化学研究所
地址：100080 北京市海淀区中关村北一街2号
国籍：CN
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