（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510052254.2 （22）申请日 2015.01.31
（71）申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
（10）申请公布号 CN104671196A
（43）申请公布日 2015.06.03
（72）发明人 张振兴;奚裴;熊磊
（74）专利代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 郑玮
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
氮化钽的刻蚀方法
（57）摘要
本发明提供了一种氮化钽的刻蚀方法，在
以图案化的光刻胶层为掩膜，对所述氮化硅层进行部分刻蚀的步骤后添加了对所述氮化硅层表面的光刻胶层进行灰化工艺的步骤，该步骤目的是去除光刻胶层，避免现有工艺中以光刻胶层为掩膜刻蚀氮化钽层时，光刻胶会与氮化钽反应生成难以去除的聚合物造成氮化钽层表面的粗糙的问题，从而提供了制造的MEMS传感器性能。
法律状态
法律状态公告日
2015-06-03 2015-07-01 2017-04-12
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
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权利要求说明书
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说明书
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