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PAD STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METH

来源:二三娱乐
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:PAD STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR

DEVICE AND A METHOD OF FORMING APAD STRUCTURE

发明人:Young Wook Shin申请号:US11610748申请日:20061214

公开号:US20070138639A1公开日:20070621

专利附图:

摘要:A pad structure of a semiconductor device includes a plurality metal layersformed on a semiconductor substrate. An uppermost metal layer includes grooves.

申请人:Young Wook Shin

地址:Seoul KR

国籍:KR

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