专利名称：金属引线、半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利发明人：曾甜,胡杏
申请号：CN201911095493.0申请日：20191111公开号：CN110828372A公开日：20200221
摘要：本发明提供了一种金属引线、半导体器件及其制作方法，首先同时形成第一凹槽与布线层凹槽，接着形成第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽连通，之后填充导电材料在第一凹槽、第二凹槽的过程中同时填充布线层凹槽，在形成导电结构的同时形成布线层，不需要再额外开孔将导电结构引出，也不需要在沉积铝层之后再刻蚀形成布线层，节省了两张掩膜板，节约了生产成本。
申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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