专利名称：形成图像传感器的方法及图像传感器专利类型：发明专利发明人：魏代龙,许兵
申请号：CN201811058940.0申请日：20180912公开号：CN109273400A公开日：20190125
摘要：本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中的浅沟槽中形成覆盖所述浅沟槽的壁的第一电介质材料层；在所述浅沟槽中形成覆盖所述第一电介质材料层的掺杂层，所述掺杂层具有P型掺杂剂，并且所述掺杂层中的P型掺杂剂的浓度高于所述浅沟槽周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述掺杂层不填满所述浅沟槽；以及使得所述掺杂层中的所述P型掺杂剂透过所述第一电介质材料层向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中的所述浅沟槽的周围形成覆盖所述浅沟槽的壁的P型扩散区。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够改进图像传感器的暗电流。
申请人：德淮半导体有限公司
地址：223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
国籍：CN
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：田菁
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