专利名称：半导体静电防护结构专利类型：发明专利发明人：贺庆华,尹苏兵申请号：CN201910795016.9申请日：20190827公开号：CN110459532A公开日：20191115
摘要：本发明为一种半导体静电防护结构，包括至少一裸片单元，裸片单元系由裸芯片切裂形成，裸片单元包括断裂的至少一第一讯号线，以及至少一第二讯号线，第二讯号线连接一控制装置，以接收控制装置的控制，裸片单元的第一讯号线上则设有至少一导电元件，以连接第一讯号线以及控制装置之接地端，令第一讯号线接地。本发明可防止第一讯号线产生静电，能有效避免漏电、线路烧坏或线路短路等情形，可提升产品的良率。
申请人：业成科技(成都)有限公司,业成光电(深圳)有限公司,英特盛科技股份有限公司
地址：611730四川省成都市高新区西区合作路689号
国籍：CN
代理机构：成都希盛知识产权代理有限公司
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