专利名称：一种高Q谐振电感结构专利类型：实用新型专利发明人：温海平,梁远勇申请号：CN201921396470.9申请日：20190824公开号：CN210325470U公开日：20200414
摘要：本实用新型公开了一种高Q谐振电感结构，涉及电子元器件技术领域，包括至少一个由导电段构成的线圈结构，所述导电段包括芯层以及套设于芯层外的至少一层导电层；芯层与所述导电层之间，或芯层与所述导电层以及相邻两层导电层之间填充有绝缘材料层。通过上述技术方案，电感导体截面至少由双层导体结构组成，导体间填充绝缘介质，阻断涡流路径，利用趋肤深度浪费的空间构成第二道或多道传导电流路径，增加有效电流传导面积，增加了电导率，减少了涡流损耗，进而提升电感线圈的Q值。
申请人：上海鸿晔电子科技股份有限公司
地址：201108 上海市闵行区金都路4299号4幢201室
国籍：CN
代理机构：北京维正专利代理有限公司
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