专利名称:全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法专利类型:发明专利
发明人:傅建奇,张勤杰,李秀青,华永云,顾生刚申请号:CN201410042959.1申请日:20140129公开号:CN103746043A公开日:20140423
摘要:本发明的全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法,包括:提供一个N型半导体衬底;在N型半导体衬底正面形成N层;在N层上形成氮化硅薄膜;在N型半导体衬底背面形成全铝背场;在氮化硅薄膜上制备正电极;对N型半导体衬底进行高温烧结,使正电极与N层相接触,并在N型半导体衬底背面形成P型层;在全铝背场表面制备背电极;低温烧结背电极。本发明的制备方法,采用全背场网版进行印刷,经高温烧结能够形成良好的PN结,从而提高了太阳能电池的光电性能;经过低温烧结制备出背电极,克服了传统银铝背电极只能在高温下完成烧结的问题,由于背电极烧结深度低,不会对PN结产生影响,能够进行后期组件焊接,且符合组件加工力学性能指标。
申请人:北京七星华创电子股份有限公司
地址:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
国籍:CN
代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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