全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法专利类型：发明专利

发明人：傅建奇,张勤杰,李秀青,华永云,顾生刚申请号：CN201410042959.1申请日：20140129公开号：CN103746043A公开日：20140423

摘要：本发明的全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法，包括：提供一个N型半导体衬底；在N型半导体衬底正面形成N层；在N层上形成氮化硅薄膜；在N型半导体衬底背面形成全铝背场；在氮化硅薄膜上制备正电极；对N型半导体衬底进行高温烧结，使正电极与N层相接触，并在N型半导体衬底背面形成P型层；在全铝背场表面制备背电极；低温烧结背电极。本发明的制备方法，采用全背场网版进行印刷，经高温烧结能够形成良好的PN结，从而提高了太阳能电池的光电性能；经过低温烧结制备出背电极，克服了传统银铝背电极只能在高温下完成烧结的问题，由于背电极烧结深度低，不会对PN结产生影响，能够进行后期组件焊接，且符合组件加工力学性能指标。

申请人：北京七星华创电子股份有限公司

地址：100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号

国籍：CN

代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

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