专利名称：自-对准栅极边缘三栅极和finFET器件专利类型：发明专利
发明人：S.S.廖,B.古哈,T.加尼,C.N.凯尼恩,L.P.古勒申请号：CN201680087349.0申请日：20160701公开号：CN109417094A公开日：20190301
摘要：描述了自‑对准栅极边缘三栅极和finFET器件以及制作自‑对准栅极边缘三栅极和finFET器件的方法。在示例中，半导体结构包括被部署在衬底以上并且突出穿过沟槽隔离区域的最上方表面的多个半导体鳍。栅极结构被部署在所述多个半导体鳍之上。所述栅极结构限定所述多个半导体鳍的每个中的沟道区域。源极和漏极区域是在所述多个半导体鳍的每个的所述沟道区域的相对端，在所述栅极结构的相对侧。所述半导体结构还包括多个栅极边缘隔离结构。所述多个栅极边缘隔离结构的各个栅极边缘隔离结构与所述多个半导体鳍的各个半导体鳍交替。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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