(完整版)模拟电子技术期中试卷(一)

一、选择题。 （每题3分，共36分）

1.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于_______。

A.掺杂工艺 B.温度 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 2.在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，已量出

I11.2mA,I20.02mA,I31.22mA由此可知对应电极①是______。

A.发射 B.基极 C.集电 D.不定

3.晶体三极管用来放大时,应使发射结处于_______偏置,集电结处于_______偏置.

A.正向,反向 B.反向,正向 C.反向,反向 D.不定

4.如果在电路中测出某NPN管三个电极对地电位分别为:VE1.0V;VB1.65V;VC1.3V,则该管工作在______区。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿

5.PNP型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。 A.VcVb>Ve D.Vc6.在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz的正弦电压信号后,用示波器观察Vi和Vo,则二者的相位关系为_______。

1

A.相差90º B.相差45º C.相同 D.相差180º 7.为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用 。 A．共射电路 B.差动放大电路 C．OCL电路（互补对称电路） D.共集电路 8.在放大器中引入直流负反馈,说法正确的是______。 A.稳定输出电压 B.稳定输出电流 C.性能不变 D.静态工作点稳定性变好

9．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（ ） A. 电压放大倍数近似为1 B. ri 很大 C. rO 很小 10.PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，______。 A．其反向电流增大 B．其反向电流减小 C．其反向电流基本不变

11.由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为_______。 A.-12V B.+6V C.-6V D.+12V

12.在甲乙类互补对称功放电路中，为了改善交越失真，应_______。

A.适当提高电源电压

B.适当增加负载电阻RL的阻值 C.适当减小功放管静态参数UBE D.适当增大功放管静态参数UBE

二、填空题。 （每空2分，共12分）

1.简单的差分放大器双端输出时，对（ ）信号有较强的抑制能力,而对（ ）信号有较强的放大作用。

2.某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为5μA和5 mA，输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压信号峰—峰值1V，则Av( )AI( )Ap( )；

3.零点漂移产生的因素很多，其中以( )变化所引起的漂移最为严重。

2

三、分析判断下列各电路能否正常放大。（每题3分，共6分） 1． 2. VCC R1 VCC RL R2 vo RC R B s V i v

四、已知电路如图，ui =10sint v,Ε=5v,二极管正向导通电压忽略不计，

试画出输出电 压uo的波形。（5分）

五、电路如图为分压式偏置放大电路，已知VCC=24V，RC=3.3KΩ，RE=1.5 KΩ,

RB1=33 KΩ,RB2=10 KΩ,RL=5.1 KΩ,β=66 。 试求：（1）静态值IB、IC和UCE；

（2）计算电压放大倍数Au； （3）空载时的电压放大倍数Au0；

（4）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。（20分）

六、差分电路如图所示，已知Vcc=VEE=15V,RB=2k,Rc＝RE＝RL＝10k，T1，T2管的β＝100,rbe=3.8kΩ

1.估算T2管的静态工作点ICQ2,VCEQ2 2.估算共模抑制比KCMR （10分）

3

RCT1Re-VEET2RbviRL

七、由电流源组成的电流放大器如图所示，试估算电流放大倍数AI=Io/Ii（6分）

+VCC3RT3IIRT4IOIOT12RT2R-VEE

八、已知如图：VＣＣ=12V，RB=100kΩ，RW=400KΩ， RC＝４ＫΩ，β＝３７.5

当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE = 0 ） （5分）

RW +VＣＣ RＣ RＢ C2

Ｃ1

4