一种SnO电子选择传输层的改性方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种SnO电子选择传输层的改性方法专利类型：发明专利

发明人：寿春晖,姜二帅,盛江,艾余前,叶继春,闫宝杰,闫锦,邬

荣敏,丁莞尔

申请号：CN201910644949.8申请日：20190717公开号：CN110504362A公开日：20191126

摘要：本发明涉及SnO电子选择传输层的改性方法，包括步骤：1)掺杂剂为无机酸、磺酸、氨基酸或含硫铵盐，掺杂浓度为0.1‑10at％；2)前驱液制备：按所述掺杂浓度将所需掺杂剂加入事先制备好的1‑5wt％浓度的SnO溶胶中，30‑80W超声震荡30‑60min，使之充分混合，均匀分散；3)薄膜制备：ITO玻璃清洗后紫外臭氧处理，然后在ITO玻璃表面旋涂制备好的掺杂SnO溶胶；4)薄膜退火。本发明的有益效果是：本发明提出的SnO电子选择传输层的改性方法，提高了SnO载流子迁移率和电子抽取能力，减小了SnO与钙钛矿层的能级失配度，提高了SnO薄膜光学透过率，提高了钙钛矿层结晶质量和稳定性，提高了钙钛矿电池短路电流、开路电压、填充因子、效率。

申请人：浙江浙能技术研究院有限公司,中国科学院宁波材料技术与工程研究所

地址：311121 浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路2159-1号1幢5楼

国籍：CN

代理机构：杭州九洲专利事务所有限公司

代理人：张羽振

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