专利名称：光刻制程及通过该光刻制程形成的晶片专利类型：发明专利发明人：李德君
申请号：CN200610119548.3申请日：20061213公开号：CN101201545A公开日：20080618
摘要：本发明提供一种光刻制程，首先在晶片表面的金属介质层上涂一层光刻胶，在完成该光刻制程后将晶片置于电镀腔内电镀，该电镀腔内设有一个密封圈和一个电极，其中，该制程还包括如下步骤：a.对晶片边缘选定区域曝光；b.将晶片的边缘保护区域利用一个遮挡物挡住，以便在曝光时不受影响；c.利用专用的图形对该晶片进行曝光，该专用图形间隔设有开孔，使晶片表面光阻间隔曝光；d.对晶片进行显影，溶化没有曝过光的光阻。本发明的光刻制程在涂胶后就先对与密封圈接触的晶片边缘选定区域曝光，密封圈直接接触到的边缘选定区域上没有光刻图形，确保了密封圈的封闭性；此外在电镀过程中也不会产生污染密封圈的污染物，有效提高了生产效率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：王洁
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