氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法[发明专利]

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专利名称：氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法专利类型：发明专利

发明人：谷云乐,刘应亮,曾文,徐子林申请号：CN200610037581.1申请日：20060907公开号：CN1955110A公开日：20070502

摘要：本发明公开了一种低温制备氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的方法，以SiCl、NaN和金属钠为原料，调控反应物配比，在400－500℃下反应，产物经过洗涤、过滤和干燥，即可分别得到氮化硅(SiN)纳米线和纳米带粉体材料。产物主要是β－SiN，含少量α－SiN，相对于SiCl总产率90％以上。副产物为NaCl和少量氮气。氮化硅纳米线平均直径30nm，氮化硅纳米带宽40－80nm，厚度不超过20nm，平均长度约为500nm。本发明反应操作简单、安全，产物纯净，收率高。

申请人：暨南大学

地址：510632 广东省广州市黄埔大道西601号

国籍：CN

代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：陈燕娴

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