专利名称：存储装置及半导体集成电路专利类型：发明专利
发明人：村冈俊作,小佐野浩一,三谷觉,关博司申请号：CN200680013537.5申请日：20060421公开号：CN101164167A公开日：20080416
摘要：第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60－11、60－12、60－21、60－22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60－11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
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