半导体存储器[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体存储器专利类型：发明专利发明人：清水宏

申请号：CN03153777.4申请日：20030820公开号：CN1485852A公开日：20040331

摘要：提供一种半导体存储器。第一放大器放大连接到静态存储单元的第一局部位线的电压。用于对连接第一放大器的一输出端的第一全局位线预充电的预充电电路分别通过第一全局位线的两端提供预充电电流。由于预充电电流以两个方向流过第一全局位线，所以电迁移评价标准可以比电流以一个方向流过的情况宽松。这就避免了由于第一全局位线的电迁移而产生的缺陷。由于第一全局位线的布线宽度可以减小，因此可以使布图面积最小化。因此，可以减小半导体存储器的芯片尺寸并降低芯片成本。

申请人：富士通株式会社

地址：日本神奈川县川崎市

国籍：JP

代理机构：北京三友知识产权代理有限公司

代理人：李辉

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