专利名称：一种疏水型六方氮化硼纳米片的制备方法专利类型：发明专利
发明人：景录如,吴斌,崔益华,张春琪,黄现礼,夏智峰,马俊锋申请号：CN201910558992.2申请日：20190626公开号：CN110182770A公开日：20190830
摘要：本发明公开了一种疏水型六方氮化硼纳米片的制备方法，包括：1)将六方氮化硼进行表面羟基化改性制备羟基化六方氮化硼；2)将步骤1)制备的羟基化六方氮化硼进行冻融膨胀处理制备膨胀的羟基化六方氮化硼；3)将步骤2)制备的膨胀的羟基化六方氮化硼与式(Ⅰ)所示的化合物在第一溶剂中混合搅拌，得第一混合溶液，然后向所得的第一混合溶液中加入不饱和酸和/或不饱和酸酐、第二溶剂，反应，制成所述疏水型六方氮化硼纳米片；其中，R为C的烷；本发明不仅能够实现氮化硼纳米片的剥片与疏水改性一锅法进行，而且还能实现疏水型六方氮化硼纳米片的高产率。
申请人：苏州太湖电工新材料股份有限公司,欧邦科技(苏州)有限公司
地址：215214 江苏省苏州市吴江区汾湖经济开发区北厍育才路36号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：向亚兰
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