专利名称：一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的
方法
专利类型：发明专利
发明人：魏大程,刘冬华,李孟林,夏冬云,曹敏申请号：CN201610002671.0申请日：20160106公开号：CN105568253A公开日：20160511
摘要：本发明属于六方氮化硼制备技术领域，具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源，基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，抽真空到10Torr，通入惰性气体，基底升温到300-700℃；控制混合气体的气压不超过1.5Torr；当温度升高到生长温度时，开等离子体电源，功率在20-100瓦之间，使硼氮源离化裂解，活性基团在等离子体的作用下发生反应，在边缘连接，在基底表面，按照成核-长大的方式，生成六方氮化硼薄膜，反应时间在10-60分钟之间。本发明方法反应温度低（300℃-700℃）；整个过程没有催化剂，不需要后续催化剂的处理，避免了后期材料转移造成的破坏和污染。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市杨浦区邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
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