专利名称：集成保护芯片结构专利类型：实用新型专利发明人：刘宗贺,吴沛东,姚秀珍申请号：CN202022052283.8申请日：20200917公开号：CN212848405U公开日：20210330
摘要：本实用新型提供一种集成保护芯片结构，其包括N型衬底、双向TVS结构、双向TSS结构、第一表面结构和第二表面结构，双向TVS结构设置在N型衬底上，用于线路保护，包括第一P型杂质和第二P型杂质，第一P型杂质和第二P型杂质分别设置在N型衬底两端，双向TSS结构设置在N型衬底上，用于泄放掉双向TVS结构不能承载的大电流，第一表面结构设置在N型衬底一端，用于芯片封装焊接，第二表面结构设置在N型衬底远离第一表面结构的一端，用于芯片封装焊接。本实用新型的集成保护芯片结构成本低，占用线路板空间小。
申请人：深圳长晶微电子有限公司
地址：518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
国籍：CN
代理机构：深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：李捷
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