专利名称:一种闪存控制器以及闪存控制方法专利类型:发明专利发明人:邢冀鹏,陈磊,杨涛申请号:CN201210367601.7申请日:20120928公开号:CN102902644A公开日:20130130
摘要:本发明公开了一种闪存控制器以及闪存控制方法,采用事先将闪存控制命令进行分解,将其分解为闪存可以识别的原子操作;并将该原子操作编成微码装载在闪存控制器中。在执行闪存控制命令时,采用查找的方式找到对应的微码,完成命令的执行过程。闪存控制器不需要对每条闪存控制命令进行解析,因此提高了闪存控制命令的执行速度。此外由于采用了RAM来存储闪存操作所需要的控制信号,可以有效减少芯片的使用面积。对于增加新的闪存控制命令时,只需要进行一次命令的分解、编码和装载过程,大大简化了闪存控制器设计的复杂度。
申请人:忆正科技(武汉)有限公司
地址:430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路特一号关南工业园2号厂房2-3楼西面
国籍:CN
代理机构:深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人:薛祥辉
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