专利名称：光刻胶剥离去除方法专利类型：发明专利发明人：李中华,李润领,陆连申请号：CN202010116396.1申请日：20200225公开号：CN111308867A公开日：20200619
摘要：本发明公开了一种用于半导体制造工艺中的光刻胶剥离去除方法，包括在半导体衬底上淀积介质层；旋涂光刻胶并曝光显影，形成光刻图形阻挡层；执行离子注入：采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀，对光刻胶进行干法剥离；对衬底表面进行清洗。本发明采用氮氢混合气体能与第一光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体，能有效减少光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响，提高产品良率。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：焦天雷
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