专利名称：一种快速恢复二极管芯片结构专利类型：实用新型专利发明人：何伟业,胡建权申请号：CN202020148910.5申请日：20200201公开号：CN211507605U公开日：20200915
摘要：本实用新型公开了一种快速恢复二极管芯片结构，包括上封盖、下封盖与芯片组，其特征在于：所述芯片组包括多个芯片与多个芯片之间的焊接片，所述上封盖的两端均固定连接有第一锁紧块，所述下封盖的两端均固定连接有第二锁紧块，所述第一锁紧块与第二锁紧块之间插设有锁紧杆，所述锁紧杆的一端固定连接有固定块，所述锁紧杆的另一端固定连接有固定套，所述上封盖的一侧插设有第一引脚，所述第一引脚位于上封盖内的一端设有第一连接片，本实用新型结构简单合理，焊接方便，制作成本低，合格率高，且便于拆装检修，适合大规模推广。
申请人：深圳市芯域联合半导体科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道宝民二路鸿隆广场C2栋3105B
国籍：CN
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