专利名称：快恢复二极管制造工艺方法专利类型：发明专利
发明人：严利人,张伟,刘道广,刘志弘申请号：CN201410424810.X申请日：20140826公开号：CN104157569A公开日：20141119
摘要：本发明公开一种快恢复二极管制造工艺方法，主要为了提供一种可进一步降低器件反向恢复时间，提高相关电路的工作速度。本发明综合应用离子注入和激光退火的深度控制能力，利用少子复合中心的扩散引入及缺陷损伤区对于少子复合中心的吸杂作用，来实现减少少子寿命的最佳的效果，工艺路线合理，工艺过程控制易于掌控，所制备的快恢复二极管具有反向恢复时间进一步缩短的更佳的性能。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区清华园1号
国籍：CN
代理机构：北京中伟智信专利商标代理事务所
代理人：张岱
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