专利名称：一种制备氧化铝单晶的方法专利类型：发明专利发明人：董行行,王操,赵喆申请号：CN201710935935.2申请日：20171010公开号：CN107829132A公开日：20180323
摘要：本发明提供了一种制备氧化铝单晶的方法，先用放电等离子烧结设备将添加有烧结助剂的氧化铝粉末烧结成型；将浓度为0.1mol/L～0.3mol/L的钙硅离子溶液旋涂在氧化铝透明陶瓷的表面，在800℃～1000℃烧除前驱体；将氧化铝单晶切割成宽度为1.8~2.2mm的正方体小片作为籽晶，将籽晶与氧化铝陶瓷放在石墨磨具中进行烧结；将烧结得到的样品进行磨抛光处理，直至表面成镜面；将抛光好的样品进行热处理，获得氧化铝单晶。本发明工艺简单，运用SPS烧结技术可以减少陶瓷内部气孔，提高其性能。采用种晶和SPS技术可以降低成本，减少烧结时间。所采用的烧结技术可以提高透明陶瓷单晶化，提高其透光率。
申请人：上海应用技术大学
地址：200235 上海市徐汇区漕宝路120号
国籍：CN
代理机构：上海申汇专利代理有限公司
代理人：吴宝根
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