西安电子科技大学2011年微电子复试考试微电子概论部分（时间2011-4-610:30~12:00在试卷上无效）
一、填空题（每空0.5分，共20分）1.半导体中的载流子有2.半导体中电流。
3.半导体中的电容有于
和
。当PN结正偏时，小于。
大
和两种。
引起的称为势垒
满分100
答题纸上作答，写
引起的称为漂移电流，有
；当PN结反偏时，
4.光刻的流程包括
、
、
、
、
、、
、、
、
。
5.集成电路的中的电容分为为
、、。
，电阻分6.减少MOS的特征频率fT的方式有7.RAM分为
、，ROM分为
、、、、、、、。。
。、。8.集成电路的连接工艺有9.MOS的三种状态分别是
、二、名词解释（每题3分，共30分）1.ASIC
2.FPGA
3.CAD
4.ROM
5.VDSat8.TTL
6.MOS的特征频率fT
7.PN结的击穿电压
9.“掺杂”10.版图设计规则
四海国芯——bluedream
三、问答题（每题10分，共50分）
1.解释随Vce的增大β增大的现象，并说明对应的参数指标。2.提高MOS的fT方法。
3.说明双极减小基区串联电阻和增大击穿电压的相互制约关系，并说明工艺上使用哪些措施消除影响。4.利用CMOS传输门构成D触发器。
5.利用“与平面”和“或平面”构建以下逻辑关系。
000→1010010001→1001101010→1000010011→0110000100→1000101101→1111110110→0101011111→0100101
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