专利名称：纳米晶的制备方法及由其制备的纳米晶专利类型：发明专利
发明人：单玉亮,杨涵妮,曹越峰,邝青霞,王允军申请号：CN201910709823.4申请日：20190802公开号：CN110511737A公开日：20191129
摘要：本申请公开了一种纳米晶的制备方法及由其制备的纳米晶。纳米晶的制备方法包括步骤：在抽气状态下，使合成纳米晶所需要的阳离子前体和阴离子前体在预定温度下反应至少30min，得到纳米晶，所述预定温度的范围为100～180℃。本申请使合成纳米晶的前体始终在抽气状态下发生反应，从而能够及时地将反应过程中产生的副产物气体等从反应体系中抽除，所合成的纳米晶的粒径分布均匀、发射峰半峰宽小。
申请人：苏州星烁纳米科技有限公司
地址：215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW06-403
国籍：CN
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